[发明专利]对非易失性存储器的选择性擦除操作有效
| 申请号： | 200980133771.5 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102138183A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里.W.卢茨;李艳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性存储系统可以选择性地对连接到公共字线(或其他类型的控制线)的非易失性存储元件的子集进行一个或多个擦除操作，而不有意擦除连接到公共字线(或其他类型的控制线)而不在该子集中的其他非易失性存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 选择性 擦除 操作 | ||
【主权项】：
一种用于调节非易失性存储器的方法，包括：将沟道区域的第一集合升压到用于非易失性存储元件的第一集合的第一电压范围，而不将沟道区域的第二集合升压到用于非易失性存储元件的第二集合的所述第一电压范围，所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合是公共衬底区域的部分；以及向所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合施加公共使能电压以便降低所述非易失性存储元件的第一集合的阈值电压，而不有意降低所述非易失性存储元件的第二集合的阈值电压。
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- 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 - 朗洛克研发有限责任公司
- 2008-01-29 - 2013-05-15 - G11C16/16
- 本发明涉及存储器装置架构和操作。逻辑上组织为具有至少两个不同大小的擦除块的非易失性存储器装置(100、610)提供对存储器单元(208、308)的多个物理块(340)的同时擦除，同时提供对所述物理块(340)的个别选择以用于读取和编程操作，以此方式，预期要求频繁更新的数据可存储在对应于具有第一大小的第一擦除块的位置，而预期要求相对不频繁的更新的数据可存储在对应于大于所述第一擦除块的第二擦除块的位置。将预期要求相对较频繁更新的数据存储在较小的逻辑存储器块中促进了对存储器单元(208、308)的不必要的擦除的减少。另外，通过提供较大的逻辑存储器块用于存储预期要求相对较不频繁更新的数据，可在同时擦除较大量的存储器单元(208、308)的过程中获得效率。
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