[发明专利]通过封装键合结构而提升半导体装置的反应性金属表面上的导线键合安定性无效
| 申请号： | 200980133170.4 | 申请日： | 2009-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102132400A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | A·迈尔斯;M·莱尔;F·屈兴迈斯特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/24 | 分类号： | H01L23/24;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供一种例如基于铜的精密金属化系统的导线键合结构，通过在线键合程序之后提供填充材料(250)以至少封装敏感的金属表面(212S)及键合线(230)的一部分，而无需端子铝层且无须任何用于暴露的铜表面(212S)的钝化层。因此，显著的成本降低、缩减的周期时间以及所需程序步骤的减少可以无关于所使用的线键合材料而实现。因此，需要精密的金属化系统的集成电路可基于用于至少封装敏感金属表面(212S)的相应的填充材料(250)，而以所需的可靠度等级通过线键合而连结至相应的封装件(260)或载体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 封装 结构 提升 半导体 装置 反应 金属 表面上 导线 安定性 | ||
【主权项】：
一种方法，包括下述步骤：设置形成在半导体管芯(200)的基板上的最终金属化层(210)，该最终金属化层(210)包括接触区域(212)，该接触区域具有用以容置键合线(230)的暴露的含铜表面(212S)；将该键合线(230)键合至该暴露的含铜表面(212S)；以及封装该暴露的含铜表面(212S)以及连接至该暴露的含铜表面(212S)的该键合线(230)的至少一部分。
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