[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯无效
| 申请号： | 200980130253.8 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102113140A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸;横山泰典;冈部健彦;塙健三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法，是在基板上层叠包含Ⅲ族氮化物的缓冲层，在该缓冲层上依次层叠具有基底层的n型半导体层、发光层和p型半导体层的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：对所述基板进行等离子体处理的预处理工序；继所述预处理工序之后，在所述基板上通过至少将金属Ga原料和含有Ⅴ族元素的气体用等离子体活化使其反应，以AlXGa1‑XN(0≤X＜1)的组成形成所述缓冲层的缓冲层形成工序；和在所述缓冲层上形成所述基底层的基底层形成工序。
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