[发明专利]非易失性半导体存储器器件

摘要

本发明提供了一种具有高可靠性电荷存储层的非易失性半导体存储器器件。多个绝缘薄膜和多个电极薄膜14被交替堆叠在衬底11上，并在其上设置了沿X方向延伸的多个选择栅电极17和沿Y方向延伸的多个位线BL。提供U形硅构件33，每一个构件均由穿过电极薄膜14和选择栅电极17、其上端连接到位线BL的多个硅柱31和连接置于对角位置的一对硅柱31的下部的连接构件32构成。每一层的电极薄膜14被针对各选择栅电极17划分。通过连接构件32相互连接的一对硅柱31穿过不同的电极薄膜14和不同的选择栅电极17。共同连接到一个位线BL的所有的U形硅构件33被共同连接到另一位线BL。

主权项

一种非易失性半导体存储器器件，包含：堆叠体，其中多个绝缘薄膜和多个电极薄膜被交替地堆叠；设置在堆叠体上的多个选择栅电极；设置在选择栅电极上的多个位线；穿过堆叠体和选择栅电极的多个半导体柱，其上端连接到位线；将一个半导体柱的下部与另一个半导体柱的下部相连接的连接构件；和设置在电极薄膜和半导体柱之间的电荷存储层，每一层的电极薄膜被针对每一选择栅电极划分，通过连接构件相互连接的一对半导体柱穿过彼此不同的电极薄膜和彼此不同的选择栅电极，并且，共同连接到一个位线的多个连接构件被共同连接到另一个位线。