[实用新型]半导体承载结构有效
申请号: | 200920216779.5 | 申请日: | 2009-09-21 |
公开(公告)号: | CN201508853U | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 江振丰 | 申请(专利权)人: | 光宏精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/075;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/495 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体承载结构,由塑料所制成具有一导热区的承载体,所述承载体在各表面形成一介面层再在上方界定形成一绝缘线路与金属层,所述绝缘线路位于导热区所在表面以及由导热区两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露,以将介面层上的金属层形成至少两电极,其中所述导热体进而包括粘设一发光二极管晶片,所述晶片至少有一接点透过金属导线连接相对应的金属层,使晶片的热能由导热体迅速导出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 承载 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体承载结构,其特征在于,其包括由塑料所制成的具有一导热区的承载体,所述承载体在各表面形成有一介面层,再在所述介面层上方界定形成有一绝缘线路与金属层,所述绝缘线路位于所述导热区所在表面以及由所述导热区两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露,以将介面层上的金属层形成至少两电极。
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