[实用新型]半导体承载结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体承载结构，特别是指一种将承载基材形成一导热区，所述导热区亦能选择形成于一导热体上，以形成预定厚度的电供应层者，来具备反射与导电的散热结构。

背景技术

近年来，使用铜、镍、银、金、铬应用在半导体基板上构成互连电路的材料，已是相当明显的趋势，其中铜、镍、银、金、铬具有较低的电阻以及较高的电迁移(electromigration)抵抗。其互连处通常通过电镀技术将铜、镍、银、金、铬披覆或析出至形成在基板表面中经粗化的细微凹洞中及表面。

但应用互连技术在发光二极管晶片的基材上的金属层鲜少有相关技术，本案创作人鉴于发光二极管晶片封装结构所衍生的各项缺点，乃亟思加以改良创新，终于成功研发完成本件半导体承载结构。

发明内容

本实用新型的目的即在于提供一种承载体的反射杯通过使用具有优良导热性的金属来形成侧壁、并且在所述反射杯的底面连接导热体，从而具有导热功能半导体承载结构。

本实用新型的次一目的在于提供一种可提升散热面积且具导热体的半导体承载结构。

本实用新型的另一目的在于提供一种内部热量快速向外传导以延长其使用寿命的半导体承载结构。

本实用新型的又一目的在于提供一种可增加散热途径且具散热结构的半导体承载结构。

本实用新型的再一目的在于提供一种可依承载体结构形成一种可自由设计导电线路且具有传导电性的半导体承载结构；即于提供一种可供自由设计立体导电线路形成电极的创新制程与结构。

为了达成上述目的，本实用新型提供了一种半导体承载结构，其包括由塑料所制成的具有一导热区的承载体，所述承载体在各表面形成有一介面层，再在所述介面层上方界定形成有一绝缘线路与金属层，所述绝缘线路位于所述导热区所在表面以及由所述导热区两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

所述导热区是一立体导热结构所形成的反射杯。

所述导热区是承载体在内部设置的至少一导热体，使所述导热体的顶部具有传导热的导热面。

所述承载体的导热区是一导热体延伸一立体导热结构所形成的反射杯，所述反射杯底部形成一穿孔，所述导热体设于所述穿孔内，使所述导热体顶部形成为所述反射杯底部。

所述承载体与所述导热体的表面上形成一介面层，所述介面层上进而包括移除一部份介面层以形成的绝缘线路，与分别设于所述绝缘线路两侧的金属层，所述金属层用于互连承载体与导热体。

所述承载体与所述导热体间更包含一接触面，所述接触面以一金属层充填。

所述导热体进而包括粘设一发光二极管晶片，所述晶片至少有一接点通过金属导线连接相对应的金属层。

所述承载体至少一侧延伸形成至少一侧臂，所述承载体与所述侧臂在各表面形成一介面层，再在所述承载体与所述侧臂上界定形成一第一绝缘线路、第二绝缘线路与金属层，当所述侧臂分割所述承载体后，所述侧臂接触承载体的两侧形成分割面，使所述分割面与第一绝缘线路、第二绝缘线路用以形成一环形区域，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

所述承载体为包含预先掺杂金属触媒的塑料、液晶高分子聚合物、包含预先掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金属触媒或有机物包括钯、铜、银或铁。

所述承载体为无掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或无掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。

本实用新型还提供了一种半导体承载结构，其包括由塑料所制成的一承载体，所述承载体在各表面形成有一介面层，再在所述介面层上方界定形成有一绝缘线路与金属层，所述绝缘线路由两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

所述承载体至少一侧延伸形成至少一侧臂，所述承载体与所述侧臂在各表面形成一介面层，再在所述承载体与所述侧臂上界定形成一第一绝缘线路、第二绝缘线路与金属层，当所述侧臂分割所述承载体后，所述侧臂接触承载体的两侧形成分割面，使所述分割面与第一绝缘线路、第二绝缘线路用以形成一环形区域，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

所述承载体包含预先掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或包含预先掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金属触媒或有机物包括钯、铜、银或铁。

所述承载体为无掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或无掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。