[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910243804.3 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102104070A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极；形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述衬底之中的源极和漏极。本发明实施例通过替换栅工艺形成的含氧的金属栅极不仅可以减小PMOS管的阈值电压，并且还不受器件栅宽的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极；形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述衬底之中的源极和漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910243804.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
