[发明专利]一种超低寄生ESD保护器件有效
| 申请号： | 200910241516.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101719489A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王源;俞波;贾嵩;黄鹏;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低寄生ESD保护器件，其包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发明具有寄生电容超低，寄生电阻超低的特点，并可保证优越的泄放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。
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