[发明专利]一种超低寄生ESD保护器件有效
| 申请号： | 200910241516.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101719489A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王源;俞波;贾嵩;黄鹏;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 esd 保护 器件 | ||
1.一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于包括：一P型衬底，所述P型 衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+ 注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，所述P+注入区和N+注入区以网格 的方式交替注入构成，形成弓形的所述本征区；在所述P+注入区和N+注入区上 间隔设置有多个接触孔。
2.如权利要求1所述的一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于：所述场 氧化层以浅槽隔离法形成。
3.如权利要求1或2所述的一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于：所 述本征区上方设置有一自对准金属硅化物阻挡层。
4.一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于包括：多个单个超低寄生ESD 保护器件，各所述单个超低寄生ESD保护器件并联连接，各所述单个超低寄生ESD 保护器件的P型衬底连通为一个整体，在所述P型衬底上形成各所述单个超低寄 生ESD保护器件的场氧化层，各所述场氧化层上为多晶硅层，各所述多晶硅层的 一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，每一所述单个超低寄生 ESD保护器件的P+注入区和N+注入区以网格的方式交替注入构成，形成弓形的 所述本征区；每一所述单个超低寄生ESD保护器件按照弓形的接触线相互交叉并 联，形成插指状连接结构；在各所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接 触孔。
5.如权利要求4所述的一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于：所述场 氧化层以浅槽隔离法形成。
6.如权利要求4所述的一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于：所述本 征区上方设置有一自对准金属硅化物阻挡层。
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