[发明专利]一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法有效
| 申请号： | 200910238111.5 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101724906A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;鲍慧强;彭同华;王刚;刘春俊;王波;李龙远 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所;北京天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效生长碳化硅晶体的方法，即通过快速生长制备高质量导电型碳化硅晶体的方法。在传统的物理气相传输法生长导电型碳化硅晶体过程中，晶体生长速度通常在0.1-0.5mm/h范围，电阻率≥0.025欧姆·厘米。本发明采用更高的原料温度(2300-2700℃)，较低的生长界面温度(1800-2300℃)，并辅以控制生长体系的氮气压力，可获得高的晶体生长速度(0.6-3mm/h)，晶体的电阻率可达0.01欧姆·厘米，并且晶体的结晶质量很高。实现高质量、低电阻率碳化硅晶体的快速生长，为进一步提高碳化硅晶体产量、降低成本提供必要条件。此外，快速生长碳化硅晶体还具有放大晶体、减少晶体体缺陷等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 质量 导电 碳化硅 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法，具体为：1)将已填充碳化硅原料和已粘结籽晶的坩埚放入晶体生长炉；2)将晶体生长炉抽真空后，为晶体生长炉充入预定量的气体从而对晶体生长体系进行洗气，多次重复此步骤；3)提高晶体生长炉的温度，使填充碳化硅原料的原料区具有2300-2700℃的温度，籽晶处具有1800-2300℃的温度；4)将晶体生长炉的气压控制在0.01-200Pa范围内，开始快速生长导电型碳化硅晶体；5)生长结束后，关闭电源或以设定的速率降低晶体生长炉温度至1000℃-1400℃后，随炉冷却至室温并得到高质量导电型碳化硅晶体。
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