[发明专利]掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910199329.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101701359A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光波长处于1μm波段的掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法，该掺钕的硅酸镥激光晶体简称为Nd:Lu2SiO5，分子式为(NdxLu1-x)2SiO5，其中x的取值范围为0.005～0.01。采用熔体法生长Nd:Lu2SiO5单晶。该晶体能够采用AlGaAs二极管泵浦，实现1μm波段激光运转。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光波长处于1μm波段的掺钕的硅酸镥激光晶体，其特征在于，该掺钕的硅酸镥激光晶体简称为Nd:Lu2SiO5，分子式为(NdxLu1-x)2SiO5，其中x的取值范围为0.005～0.01。
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