[发明专利]多晶硅线、半导体器件以及存储器电路有效
| 申请号： | 200910195977.2 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102024787A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李志国;杨帆;蒙飞;林竞尧;王培仁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅线、半导体器件以及存储器电路，其中，多晶硅线包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽。本发明通过增大延伸出存储器阵列区的多晶硅线的线宽，提高该部分多晶硅线在退火工艺中加热时的受光照辐射的面积，提升加热效果，从而获得与存储器阵列区内的多晶硅线相一致的升温速度，使得高温退火后，存储器阵列区边缘部分的多晶硅线表面所形成的金属硅化物层致密稳固，避免多晶硅线电阻的提高，从而保证了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 半导体器件 以及 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种多晶硅线，其特征在于，包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽。
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