[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910168186.0 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101667595A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳·库玛·布沃卡;王静亚;后藤贤一;李文钦;卡罗斯·H·迪雅兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极/漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极/漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极/漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极/漏极区，位于该沟道区内该第一源极/漏极区的相反侧，其中该第二源极/漏极区具有与该第一导电性相反的一第二导电性，而至少该沟道区与该第二源极/漏极区之一包括另一超晶格结构。本发明具有超晶格结构隧道型FET超越了公知MOSFET的次临界摆幅限制，也可降低起因于栅极漏电流的漏电流，还也可解决常见于具有低漏电流装置中的低开启电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极/漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极/漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极/漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极/漏极区，位于该沟道区内该第一源极/漏极区的相反侧，其中该第二源极/漏极区具有与该第一导电性相反的一第二导电性，而至少该沟道区与该第二源极/漏极区之一包括另一超晶格结构。
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