[发明专利]含有高分子半导体的电子装置有效

专利信息
申请号: 200910161767.1 申请日: 2009-08-14
公开(公告)号: CN101656297A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: Y·李 申请(专利权)人: 施乐公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人: 钟守期;吴晓萍
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种含有式(I)的高分子半导体的电子装置,其中X独立地选自S、Se、O和NR,其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN;Ar独立地为共轭二价部分;a为1至约10的整数;并且n为2至约5,000的整数。该电子装置可为有机薄膜晶体管。
搜索关键词: 含有 高分子 半导体 电子 装置
【主权项】:
1.一种含有半导体层的电子装置,其中所述半导体层含有一种式(I)的高分子半导体:式(I)其中X独立地选自S、Se、O和NR,其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN;Ar独立地为共轭二价部分;a为1至约10的整数;并且n为2至约5,000的整数。
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