[发明专利]含有高分子半导体的电子装置

权利要求书

1.一种含有半导体层的电子装置，其中所述半导体层含有一种式（I） 的高分子半导体:

其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷 基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；

Ar独立地为选自以下的共轭二价部分

及其结合，其中R’独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、 被取代的芳基、杂芳基或-CN；并且所述二价部分可被烷基、被取代的 烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基、卤素、-CN或-NO₂外围取代；

a为1至10的整数；并且

n为2至5,000的整数。

2.权利要求1的电子装置，其中所述半导体层含有一种式（I） 的高分子半导体：

其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷 基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN;

每一个Ar独立地选自：

其中R’独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的 芳基、杂芳基和-CN;

a为1至10的整数；并且

n为2至5,000的整数。

3.权利要求1或2的电子装置，其中X独立地选自S和O。

4.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有4.5eV 或更小的LUMO。

5.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有4.0eV 或更小的LUMO。

6.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有3.5eV 或更小的LUMO。

7.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体为n型半导 体，或者既为n型也为p型半导体。

8.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有1,000至 1,000,000的重均分子量。

9.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有5000至 100,000的重均分子量。

10.权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体选自式（3）至 （8）、（11）至（16）、（19）至（24）和（27）至（32）：

其中R、R’、R₁和R₂独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、 被取代的芳基、杂芳基、-CN，或其混合。

11.权利要求1或2的电子装置，其中所述电子装置为薄膜晶体 管。

12.权利要求1的电子装置，其中所述半导体层含有一种式（I） 的高分子半导体：

其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷 基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；

a为1至10的整数；

n为2至5,000的整数；并且

每一个Ar为选自以下的共轭二价部分：

及其结合，其中R’独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基、杂芳基或-CN；并且所述二价部分可被烷基、被取代的 烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基、卤素、-CN或-NO₂外围取代。