[发明专利]具有化学机械抛光伪图案的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910152046.4 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101752362A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 尹炯舜;安永培 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有化学机械抛光伪图案的半导体器件及其制造方法。通过以与晶胞区域的图案相同的方向和/或相同的角度形成CMP伪图案，可以防止晶片翘曲。此外，减少了由蚀刻残留物所造成的覆盖误差，从而改善半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 化学 机械抛光 图案 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶胞区域，其包括第一图案；以及电路区域，其包括密度比所述晶胞区域的密度低的第二图案、以及以与所述第一图案大致相同的方向布置的伪图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
