[发明专利]具有化学机械抛光伪图案的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶胞区域，其包括第一图案；以及

电路区域，其包括密度比所述晶胞区域的密度低的第二图案、 以及以与所述第一图案大致相同的方向布置的伪图案，

其中，以预定角度倾斜的所述伪图案以预定厚度环绕以与所述 第一图案相同的角度倾斜的至少一个开放区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一图案以预定角度倾斜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述伪图案包括布置于晶片开放控制假区域中的化学机械抛光 伪图案。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述伪图案包括在矩形图案内以预定角度倾斜的至少一个开放 区域，所述矩形图案以与所述开放区域大致相同的角度倾斜。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述开放区域具有约5∶1的高宽比。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述伪图案包括一体形成的多个单位图案。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

由所述单位图案限定的开放区域具有约5∶1的高宽比。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一图案和所述第二图案包括隔离图案。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述伪图案以与所述第一图案相同的角度倾斜。

10.一种半导体器件，包括：

晶胞区域，其包括第一图案；以及

电路区域，其包括密度比所述晶胞区域的密度低的第二图案、 以及以与所述第一图案相同的角度布置的伪图案，

其中，以预定角度倾斜的所述伪图案以预定厚度环绕以与所述 第一图案相同的角度倾斜的至少一个开放区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述伪图案包括在矩形图案内以预定角度倾斜的至少一个开放 区域，所述矩形图案以与所述开放区域相同的角度倾斜。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

所述开放区域具有约5∶1的高宽比。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述伪图案包括彼此一体地形成的多个单位图案。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

由所述单位图案限定的开放区域具有约5∶1的高宽比。

15.一种制造包括化学机械抛光伪图案的半导体器件的方法， 所述方法包括：

在限定晶胞区域和电路区域的基板上形成绝缘膜；以及

蚀刻所述绝缘膜和所述基板，以在所述晶胞区域内形成第一图 案并在所述电路区域内形成第二图案和伪图案，其中，

所述伪图案以与所述第一图案相同的方向形成，并且

以预定角度倾斜的所述伪图案以预定厚度环绕以与所述第一图 案相同的角度倾斜的至少一个开放区域。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

所述第一图案以预定的角度形成。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，

所述伪图案形成于晶片开放控制伪图案区域内。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，

所述伪图案以与所述第一图案大致相同的角度倾斜。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，

蚀刻所述绝缘膜和所述基板的步骤是利用浅沟槽隔离蚀刻工序 来执行的。