[发明专利]半导体组件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体组件及其制造方法，前述种半导体组件，包括半导体衬底、掺杂区、电性接触层与金氧半导体单元。半导体衬底其具有相对应的第一表面与第二表面，且至少具有一沟道，从第二表面向半导体衬底内部延伸。掺杂区，位于沟道底部的半导体衬底中。掺杂区中的掺质与半导体衬底中的掺质具有相同的导电型。掺杂区的掺质浓度高于半导体衬底的掺质浓度。电性接触层电性连接掺杂区。金氧半导体单元则位于半导体衬底的第一表面上。

主权项

一种半导体组件，其特征在于其包括：一具有第一导电型掺质的半导体衬底，其具有相对应的一第一表面与一第二表面，且至少具有两个第一沟道，从前述第二表面向前述半导体衬底的内部延伸；具有第一导电型掺质的两个彼此分离的第一掺杂区，分别位于前述第一沟道底部的前述半导体衬底中，前述第一掺杂区的掺质浓度高于前述半导体衬底的掺质浓度；衬底一第一电性接触层，覆盖前述第一掺杂区；以及至少一金氧半导体单元，位于前述半导体衬底的前述第一表面。