[发明专利]具有圆齿状侧壁的穿透硅通孔有效
| 申请号： | 200910146989.6 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101771020A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郭正铮;陈志华;陈明发;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有一个或多个穿透硅通孔(TSV)的半导体器件。该TSV被形成以使得该TSV的侧壁具有圆齿状表面。在一个实施例中，该TSV的侧壁是倾斜的，其中该TSV的顶部和底部具有不同的尺寸。该TSV可以具有V形形状，其中该TSV在该衬底的电路侧上具有较宽的尺寸；或具有倒V形形状，其中该TSV在该衬底的背面上具有较宽的尺寸。该侧壁和/或倾斜侧壁的圆齿状表面允许该TSV能被更容易地填充诸如铜的导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 齿状 侧壁 穿透 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；覆盖该衬底的一个或多个电介质层；以及延伸穿过该衬底的穿透硅通孔(TSV)，该TSV具有圆齿状(scalloped)表面的侧壁，沿着该侧壁的圆齿具有大于0.01μm的深度。
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