[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910141124.0 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101615608A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 羽根田雅希;清水纪嘉;大塚信幸;中尾嘉幸;砂山理江;田平贵裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：含有氧的绝缘膜，形成在半导体衬底上；凹部，形成在所述绝缘膜中；难熔金属膜，形成在所述凹部的内壁上；含有铜、锰以及镍的金属膜，形成在所述难熔金属膜上；以及铜膜，形成在所述金属膜上，以填充所述凹部。本发明能够降低锰从金属膜扩散进入填充于凹部中的铜膜，从而能够降低铜膜的阻抗增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：绝缘膜，形成在半导体衬底上方，所述绝缘膜含有氧；凹部，形成在所述绝缘膜中；难熔金属膜，形成在所述凹部的内壁上；金属膜，形成在所述难熔金属膜上，所述金属膜包括铜、锰以及氮；以及铜膜，形成在所述金属膜上，以填充所述凹部。
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