[发明专利]基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法有效

申请号：	200910136937.0	申请日：	2009-04-28
公开（公告）号：	CN101645393A	公开（公告）日：	2010-02-10
发明（设计）人：	岛田真一	申请（专利权）人：	株式会社日立国际电气
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/324;H01L21/22
代理公司：	北京市金杜律师事务所	代理人：	陈伟
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法，能够在短时间内冷却处理室内。基板处理装置(10)具有：对晶片(1)进行处理的处理室(12)；设在处理室(12)的外周侧的加热器(39)；设在加热器(39)的外周侧的内侧壁(34)；与内侧壁(34)之间形成空间(36)地设置的外侧壁(35)；设在空间(36)中的被冷却的水冷套(60)；使水冷套(60)在与内侧壁(34)及外侧壁(35)的一方接触的接触位置和与内侧壁(34)及外侧壁(35)都不接触的非接触位置之间移动的移动机构(64)；对移动机构(64)进行控制的控制器(100)。
搜索关键词：	处理装置加热半导体制造方法
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【主权项】：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：对基板进行处理的处理室；设在所述处理室的外周侧并对所述处理室进行加热的发热体；设在所述发热体的外周侧的环状的内侧壁；与所述内侧壁的外周侧之间形成间隙地设置的环状的外侧壁；设在所述间隙中的被冷却的环状的冷却部件；使所述冷却部件在与所述内侧壁及所述外侧壁的至少一方接触的接触位置和与所述内侧壁及所述外侧壁都不接触的非接触位置之间移动的移动机构；至少控制所述移动机构的控制部。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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