[发明专利]基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

已知一种基板处理装置，在具有用于处理基板的处理室和对该处理室进行加热的加热器单元的基板处理装置中，具有：以包围上述处理室的外侧的方式敷设的发热体；以包围该发热体的方式敷设的第一反射体；以隔有空间地包围该第一反射体的外侧的方式敷设的第二反射体；对上述空间进行排气的排气管；向上述空间供给气体的供给管(专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-311648号

但是，在以往的基板处理装置中，存在要对处理室内冷却时耗费时间的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够在短时间内冷却处理室内的基板处理装置及半导体装置的制造方法。

本发明为基板处理装置，具有：对基板进行处理的处理室；设在上述处理室的外周侧并对上述处理室进行加热的发热体；设在上述发热体的外周侧的环状的内侧壁；与上述内侧壁的外周侧之间形成间隙地设置的环状的外侧壁；设在上述间隙中的被冷却的环状的冷却部件；使上述冷却部件在与上述内侧壁及上述外侧壁的至少一方接触的接触位置和与上述内侧壁及上述外侧壁都不接触的非接触位置之间移动的移动机构；对至少上述移动机构进行控制的控制部。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种在短时间内冷却处理室内的基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的概要横截面图。

图2是放大地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的局部的截面图。

图3表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的水冷套，图3(a)为表示水冷套的第一例的立体图，图3(b)为表示水冷套的第二例的立体图。

图4是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的移动机构的截面图。

图5放大地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的移动机构，图5(a)是放大地表示图4中由虚线A包围的部分的截面图，图5(b)是表示图4中的B-B线截面的截面图。

图6是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的内侧壁、外侧壁以及水套主体的形状的一例的截面图。

图7是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的内侧壁、外侧壁以及水套主体的形状的第一变形例的截面图。

图8是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的内侧壁、外侧壁以及水套主体的形状的第二变形例的截面图。

图9是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的内侧壁、外侧壁以及水套主体的形状的第三变形例的截面图。

图10表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有外侧壁的变形例，图10(a)为截面图，图10(b)为从图10(a)的C-C线侧观察的图。

图11是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的控制器的框图。

图12是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置具有的加热器发出的发热温度和峰值波长之间的关系的图表。

图13是表示由本发明的第一实施方式的基板处理装置处理的晶片的热特性的图表。

图14是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的示意图。

附图标记说明

1   晶片

10  基板处理装置

12  处理室

28  温度传感器

34  内侧壁

35  外侧壁

36  空间

39  加热器

60  水冷套

62  水冷装置

64  移动机构

66  水套主体

68  管

76  支承机构

100 控制器

102 控制电路

具体实施方式

下面，根据附图对本发明的实施方式进行说明。

在图1及图2中示出了本发明的第一实施方式的基板处理装置10。

基板处理装置10构成为间歇式纵形热壁形氧化·扩散装置。

基板处理装置10具有纵形的处理管11，纵形的处理管11以其中心线垂直的方式被纵向配置并固定地支承。处理管11采用石英(SiO₂)并形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。

由处理管11的圆筒状的中空部形成对作为基板使用的晶片1进行处理的处理室12。在处理室12中，对多个晶片1进行批量处理。另外，在处理管11的下端部形成的开口部作为炉口13使用。晶片1通过炉口13在处理室12内出入。