[发明专利]基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

对基板进行处理的处理室；

设在所述处理室的外周侧并对所述处理室进行加热的发热体；

设在所述发热体的外周侧的环状的内侧壁；

与所述内侧壁的外周侧之间形成间隙地设置的环状的外侧壁；

设在所述间隙中的被冷却的环状的冷却部件；

使所述冷却部件在与所述内侧壁及所述外侧壁的至少一方接触的接触位置和与所述内侧壁及所述外侧壁都不接触的非接触位置之间移动的移动机构；

至少控制所述移动机构的控制部。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却部件的与所述内侧壁相对的面的曲率和所述内侧壁的与所述冷却部件相对的面的曲率相等。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却部件的与所述外侧壁相对的面的曲率和所述外侧壁的与所述冷却部件相对的面的曲率相等。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部根据所述处理室内的温度及该温度的变化中的至少一方对所述移动机构进行控制。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述处理室内的基板的处理温度被设定为25℃以上且不足250℃时，所述控制部对所述移动机构进行控制，以使所述冷却部件与所述内侧壁接触。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述处理室内的基板的处理温度被设定为25℃以上且不足250℃时，在以下任何一个工序中，所述控制部对所述移动机构进行控制，以使所述冷却部件与所述内侧壁接触，所述工序为：使所述处理室内的温度上升的工序；使所述处理室内的温度稳定在上升的温度的工序；在所述处理室内对基板进行处理的工序；以及使所述处理室内的温度下降的工序。

7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述处理室内的基板的处理温度被设定为25℃以上且不足500℃时，至少在使所述处理室内的温度上升的工序中，所述控制部对所述移动机构进行控制，以使所述冷却部件与所述内侧壁接触。

8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述处理室内的基板的处理温度被设定为500℃以上且1050℃以下时，至少在所述处理室内对基板进行处理的工序中，所述控制部对所述移动机构进行控制，以使所述冷却部件与所述外侧壁接触。

9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述移动机构使所述冷却部件在垂直于所述内侧壁的与所述冷却部件相对的面的方向上移动。

10.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，至少所述内侧壁由与所述发热体相同的材质构成。

11.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部以如下方式对所述移动机构进行控制而对基板进行处理，所述方式为：在所述处理室内的基板的处理温度为预定的规定温度以上的情况下，使所述冷却部件与所述外侧壁接触；在所述处理室内的处理温度比所述规定温度低的情况下，使所述冷却部件与所述内侧壁接触。

12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部以如下方式对所述移动机构进行控制，所述方式为：根据在所述处理室内的基板的处理温度处于预先被确定范围的多个温度区域中的哪一个范围内，相应地将所述冷却部件配置在与所述内侧壁及所述外侧壁都不接触的位置、与所述内侧壁接触的位置以及与所述外侧壁接触的位置中的某一个位置上。

13.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部以如下方式对所述移动机构进行控制，所述方式为：根据所述处理室内的温度的变动状态以及所述处理室内的基板的处理温度处于预先被确定范围的多个温度区域中的哪一个范围内，相应地将所述冷却部件配置在与所述内侧壁及所述外侧壁都不接触的位置、与所述内侧壁接触的位置以及与所述外侧壁接触的位置中的某一个位置上。