[发明专利]主波长分布收敛的发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910136885.7 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872741A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吕志强;徐舒婷;陈彦文;王健源;刘如熹;谢明勋;郭政达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/782 | 分类号： | H01L21/782;H01L21/82;H01L21/78;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种主波长分布收敛的发光元件及其制造方法。上述发光元件至少包含基板；多个置于基板上的发光叠层，其中上述多个发光叠层发出具有第一主波长变异值的第一光束；以及，位于发光叠层上的波长转换收敛层，其中此波长转换收敛层吸收第一光束并发出第二光束，且第二光束具有第二主波长变异值。在上述发光元件中，第一主波长变异值大于第二光束主波长变异值。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 分布 收敛 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种主波长分布收敛的发光元件制造方法，至少包括下列步骤：提供基板；形成多个发光叠层于该基板上，其中该多个发光叠层发出第一光束，且该第一光束具有第一主波长变异值；以及形成波长转换收敛层于该多个发光叠层上，该波长转换收敛层吸收该第一光束并发出第二光束，且该第二光束具有第二主波长变异值，其中该第一主波长变异值大于该第二光束主波长变异值。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
