[发明专利]集成电路结构

摘要

本发明公开了一种集成电路结构，包括具有第一栅电极、第一源极与第一漏极的p型金属氧化物半导体晶体管以及具有第二源极、第二漏极与第二栅电极的n型金属氧化物半导体晶体管，其中第二栅电极与第一栅电极为栅电极导线的一部分。于p型金属氧化物半导体晶体管与n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管。上述集成电路结构还包括电源导线，连接第一源极；接地导线，连接第二源极；以及内连接点，电性连接于栅电极导线，其中内连接点位于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管与介于PMOS晶体管以及NMOS晶体管间区域的金属氧化物半导体对区域的外侧部，且其中栅电极导线位于区域上的该部为大体笔直。本发明可改善栅电极导线的线宽均匀度等。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：一p型金属氧化物半导体晶体管，即PMOS晶体管，包括：一第一栅电极；一第一源极，邻近该第一栅电极；以及一第一漏极，位于该第一栅电极的一对称侧且邻近该第一栅电极而非该第一源极；一n型金属氧化物半导体晶体管，即NMOS晶体管，包括：一第二栅电极，其中该第二栅电极与该第一栅电极为一栅电极导线的一部分；一第二源极，邻近该第二栅电极；以及一第二漏极，位于该第二栅极的一对称侧且邻近该第二栅电极而非该第二源极，其中于该p型金属氧化物半导体晶体管与该n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管；一电源导线，连接该第一源极；一接地导线，连接该第二源极；以及一内连接点，电性连接于该栅电极导线，其中该内连接点位于包括该PMOS晶体管、该NMOS晶体管与介于该PMOS晶体管以及该NMOS晶体管间一区域的一金属氧化物半导体对区域的一外侧部，且其中该栅电极导线位于该MOS对区域上的该部为大体笔直。