[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一p型金属氧化物半导体晶体管，即PMOS晶体管，包括：

一第一栅电极；

一第一源极，邻近该第一栅电极；以及

一第一漏极，位于该第一栅电极的一侧且邻近该第一栅电极而非该第一源极；

一n型金属氧化物半导体晶体管，即NMOS晶体管，包括：

一第二栅电极，其中该第二栅电极与该第一栅电极为一栅电极导线的一部分；

一第二源极，邻近该第二栅电极；以及

一第二漏极，位于该第二栅极的一侧且邻近该第二栅电极而非该第二源极，其中于该p型金属氧化物半导体晶体管与该n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管；

一电源导线，连接该第一源极；

一接地导线，连接该第二源极；以及

一内连接点，电性连接于该栅电极导线，其中该内连接点位于包括该PMOS晶体管、该NMOS晶体管与介于该PMOS晶体管以及该NMOS晶体管间一区域的一金属氧化物半导体对区域的一外侧部，且其中该栅电极导线位于该金属氧化物半导体对区域上的部分为大体笔直。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该栅电极导线位于该金属氧化物半导体对区域上的该部分具有大体均匀的线宽。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该内连接点位于该电源导线的对应侧而非该接地导线的对应侧。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该内连接点位于该接地导线的一对应侧而非该电源导线的一对应侧。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该电源导线具有直接位于该PMOS晶体管上的至少一部分，而该接地导线具有直接位于该NMOS晶体管上的至少一部分。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括： 

另一PMOS晶体管；

另一NMOS晶体管，邻近该另一PMOS晶体管，且其间未设置有任何晶体管，其中该另一PMOS晶体管与该另一NMOS晶体管的栅极为另一栅电极导线的一部分；

另一电源导线，连接于该另一PMOS晶体管的一源极；

另一接地导线，连接于该另一NMOS晶体管的一漏极；以及

另一内连接点，电性连接该另一栅电极导线，其中该另一内连接点水平地位于该另一PMOS晶体管与该另PMOS晶体管之间且其间未设置有其他MOS晶体管。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一虚设栅电极导线，平行于该栅电极导线，其中该虚设栅电极导线具有大体均匀的线宽，而其中该大体均匀的线宽大体相等于该栅电极导线的线宽。

8.一种集成电路结构，包括：

一第一单元，包括：

一第一有源区；

一第二有源区，邻近该第一有源区，且于该第二有源区与该第一有源区之间未设置有其他有源区；

一栅电极导线，位于该第一有源区与该第二有源区上，以分别形成一p型金属氧化物半导体晶体管以及一n型金属氧化物半导体晶体管，其中该p型金属氧化物半导体即PMOS晶体管，该n型金属氧化物半导体即NMOS晶体管，该PMOS晶体管与该NMOS晶体管于其栅长方向上大体相互平行，而于直接位于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的一区域上以及于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管间的一区域上的该栅电极导线为大体笔直具有大体均匀的线宽；

一金属导线，内部连接该PMOS晶体管的一第一漏极与该NMOS晶体管的一第二漏极，其中该金属导线大体平行于该栅电极导线；

一电源导线，具有重叠于该第一有源区上的至少一部分，其中该电源导线与该PMOS晶体管的一第一源极电性相连接；

一接地导线，具有重叠于该第二有源区上的至少一部分，其中该接地导线与该NMOS晶体管的一第二源极电性相连接； 

一第一接触插拴，垂直地重叠且电性连接于该栅电极导线，其中该第一有源区与该第二有源区其中之一水平地位于该第一接触插拴和该第一有源区与该第二有源区的另一之间；以及

一内连接点，具有重叠且电性连接于该第一接触插拴的至少一部分。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，还包括：

一第二接触插拴，垂直地重叠且内部连接于该第一源极与该电源导线；以及

一第三接触插拴，垂直地重叠且内部连接于该第二源极与该接地导线。