[发明专利]测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构有效

专利信息
申请号: 200910133203.7 申请日: 2009-03-26
公开(公告)号: CN101556955A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 何佩天;李铁生;李一宽 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/66;G01R31/28
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张静洁;王敏杰
地址: 百慕大哈密*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
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摘要: 发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层,且二维-沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维-沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级-体区圆柱都有一第二传导型的底部体区,该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级-体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域,从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含:a)一个源级-体区圆柱,底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极;b)分别位于所述源级-体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件,测得电阻RP
搜索关键词: 测量 高密度 沟槽 mosfet 阵列 夹紧 电阻 结构
【主权项】:
1.一种测量位于同一半导体晶片上的高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构,其特征在于,所述的晶片衬底为第一传导型,所述的高密度沟槽MOSFET阵列具有位于晶片衬底顶部的第一传导型的共漏基层,一个2D沟槽MOSFET阵列位于共漏基层顶部,所述的二维沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和绝缘栅极沟槽圆柱相互交错设置所形成的圆柱阵列,每一个源级-体区圆柱都具有一个第二传导型的底部体区,其上具有向上延伸的若干第一指状引脚结构,相应地,每一个源级-体区圆柱也都具有第一传导型的第二顶部源级区域来桥接所述的指状引脚结构;所述的测量结构包含:一个源级-体区圆柱,其位于共漏基层的顶部,其中,每一个底部体区上的选定的若干指状引脚结构的顶表面上都进一步包含了形成在该顶表面上的触点电极,从而生成了数量对应的若干触点电极;两个绝缘栅极沟槽圆柱,均位于共漏基层的顶部,且分别位于所述源级-体区圆柱的两侧,该两个绝缘栅极沟槽圆柱都进一步包含形成在其上的共栅极触点电极;利用相应数目的外部偏置电源和电压/电流测量装置在触点电极和共栅触点电极之间形成电连接,在模仿高密度沟槽MOSFET阵列的相邻沟槽MOSFET器件之间的寄生效应的情况下,测量得到贯穿底部体区的体区夹紧电阻RP。
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