[发明专利]测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构

权利要求书

1.一种测量位于同一半导体晶片上的高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构，其特征在于，所述的晶片衬底为第一传导型，所述的高密度沟槽MOSFET阵列具有位于晶片衬底顶部的第一传导型的共漏基层，一个二维沟槽MOSFET阵列位于共漏基层顶部，所述的二维沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和绝缘栅极沟槽圆柱相互交错设置所形成的圆柱阵列，每一个源级-体区圆柱都具有一个第二传导型的底部体区，其上具有向上延伸的若干第一指状引脚结构，相应地，每一个源级-体区圆柱也都具有第一传导型的第二顶部源级区域来桥接所述的指状引脚结构；所述的测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构包含：

一个源级-体区圆柱，其位于共漏基层的顶部，其中，每一个底部体区上的选定的若干指状引脚结构的顶表面上都进一步包含了形成在该顶表面上的触点电极，从而生成了数量对应的若干触点电极；

两个绝缘栅极沟槽圆柱，均位于共漏基层的顶部，且分别位于所述源级-体区圆柱的两侧，该两个绝缘栅极沟槽圆柱都进一步包含形成在其上的共栅极触点电极；

利用相应数目的外部偏置电源和共栅触点电极之间形成电连接，以及利用相应数目的电压/电流测量装置和触点电极之间形成电连接，在模仿高密度沟槽MOSFET阵列的相邻沟槽MOSFET器件之间的寄生效应的情况下，测量得到贯穿底部体区的体区夹紧电阻RP。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的两个绝缘栅极沟槽圆柱进一步均包含一导电栅极材料和一环绕该导电栅极材料的绝缘栅极介电层，从而将所述的栅极材料与源级-体区圆柱和共漏基层隔离开来。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述的栅极材料由多晶硅构成。

4.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述的栅极介电层由硅氧化物构成。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的底部体区进一步包含两个选定的指状引脚结构，以及相应地：

共栅触点电极，其连接到外部偏置电源；

相应的两个触点电极，其连接到外部2端口电阻测量器件，用来测量贯穿底部体区的体区夹紧电阻。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的底部体区进一步包含四个选定的指状引脚结构，以及相应地：

共栅触点电极，其连接到外部偏置电源；

相应的四个触点电极，其连接到外部4端口电阻测量器件，用来测量贯穿底部体区的体区夹紧电阻。

7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的共漏基层是一个外延层。

8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的第一导电型是P型，而第二导电型是N型。

9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的第一导电型为N型，第二导电型为P型。

10.一种半导体晶片，其特征在于，所述的半导体晶片包含一第一导电型的晶片衬底、若干高密度沟槽MOSFET阵列和至少一个同样设置在晶片上的测量结构，该测量结构能够监控高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻，其中：

每一个高密度沟槽MOSFET阵列都进一步包含位于晶片衬底顶部的第一传导型的共漏基层，一个二维沟槽MOSFET阵列位于共漏基层顶部，所述的二维沟槽MOSFET阵列进一步包含源级-体区圆柱和绝缘栅极沟槽圆柱相互交错设置所形成的圆柱阵列，每一个源级-体区圆柱都进一步包含一个第二传导型的底部体区，其上具有向上延伸的若干第一指状引脚结构，相应地，每一个源级-体区圆柱也都进一步包含第一传导型的第二顶部源级区域来桥接所述的指状引脚结构；

所述的测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构进一步包含：

一个源级-体区圆柱，其位于共漏基层的顶部，其中，每一个底部体区上的选定的若干指状引脚结构的顶表面上都进一步包含了形成在该顶表面上的触点电极，从而生成了数量对应的若干触点电极；

两个绝缘栅极沟槽圆柱，均位于共漏基层的顶部，且分别位于所述源级-体区圆柱的两侧，该两个绝缘栅极沟槽圆柱都进一步包含形成在其上的共栅极触点电极；

利用相应数目的外部偏置电源和共栅触点电极之间形成电连接，以及利用相应数目的电压/电流测量装置和触点电极之间形成电连接，在模仿高密度沟槽MOSFET阵列的相邻沟槽MOSFET器件之间的寄生效应的情况下，测量得到贯穿底部体区的体区夹紧电阻RP。