[发明专利]具有内连结金属的硅晶片无效
| 申请号： | 200910131140.1 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101853836A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 洪正辉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种具有内连结金属的硅晶片。该硅晶片包括硅基底、至少一电性元件、绝缘层、金属层、至少一第一内连结金属及至少一第二内连结金属。该电性元件位于该硅基底内，且显露于该硅基底的第一表面。该绝缘层位于该硅基底的第一表面。该金属层位于该绝缘层的表面。该第一内连结金属贯穿该绝缘层，且位于该电性元件上方，该第一内连结金属连接该金属层及该电性元件。该第二内连结金属贯穿该绝缘层，且位于该电性元件外的相对位置，该第二内连结金属连接该金属层。由此，当形成硅穿导孔后，该硅穿导孔可透过该第二内连结金属与该金属层电性连接，以提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连结 金属 晶片 | ||
【主权项】：
一种具有内连结金属的硅晶片，包括：硅基底，具有第一表面及第二表面；至少一电性元件，位于该硅基底内，且显露于该硅基底的第一表面；绝缘层，位于该硅基底的第一表面，该绝缘层具有表面；金属层，位于该绝缘层的表面；至少一第一内连结金属，贯穿该绝缘层，且位于该电性元件上方，该第一内连结金属连接该金属层及该电性元件；及至少一第二内连结金属，贯穿该绝缘层，且位于该电性元件外的相对位置，该第二内连结金属连接该金属层。
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