[发明专利]NAND型非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种将铝氧化物膜作为阻挡绝缘膜的高性能的MONOS型的NAND型非易失性半导体存储装置。在半导体基板中，具备串联连接的多个存储单元晶体管、和选择晶体管。存储单元晶体管具备：半导体基板上的第一绝缘膜；电荷积蓄层；作为铝氧化物的第二绝缘膜；第一控制栅电极；以及第一源/漏区域。选择晶体管具备：半导体基板上的第三绝缘膜；作为铝氧化物且含有四价阳离子元素、五价阳离子元素、N(氮)中的至少一种元素的第四绝缘膜；第二控制栅电极(108b)；以及第二源/漏区域。

主权项

1. 一种NAND型非易失性半导体存储装置，其特征在于，在半导体基板中，具备相互串联连接的多个存储单元晶体管、和设置在上述多个存储单元晶体管的端部的选择晶体管，上述存储单元晶体管具备：上述半导体基板上的第一绝缘膜；上述第一绝缘膜上的电荷积蓄层；上述电荷积蓄层上的作为铝氧化物的第二绝缘膜；上述第二绝缘膜上的第一控制栅电极；以及在上述第一控制栅电极的两侧的上述半导体基板中形成的第一源/漏区域，上述选择晶体管具备：上述半导体基板上的第三绝缘膜；上述第三绝缘膜上的作为铝氧化物且含有四价阳离子元素、五价阳离子元素、N(氮)中的至少一种元素的第四绝缘膜；上述第四绝缘膜上的第二控制栅电极；以及在上述第二控制栅电极的两侧的上述半导体基板中形成的第二源/漏区域。