[发明专利]提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法有效

申请号：	200910057253.1	申请日：	2009-05-13
公开（公告）号：	CN101887850A	公开（公告）日：	2010-11-17
发明（设计）人：	王函;林钢;钱文生	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L21/283	分类号：	H01L21/283;H01L21/3065;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/311;H01L21/314
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	孙大为
地址：	201206 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；包括以下步骤：隧穿窗口干法刻蚀；隧穿窗口采用磷元素进行沟道注入；高温退火，修复离子注入对衬底的损伤；隧穿窗口氧化膜湿法刻蚀，采用含氢氟酸作为对衬底表面无损伤的湿法药液。本发明使得后续氧化生成的隧穿氧化膜具有平滑的界面特性，降低了局部电场强化的几率，也降低了电子反向隧穿的几率，从而提高电荷的存储能力以及写入或擦除后的阈值电压窗口。
搜索关键词：	提升 sonos 数据保持能力单晶硅损伤窗口集成方法
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【主权项】：

一种提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，包括以下步骤：隧穿窗口干法刻蚀；隧穿窗口采用磷元素进行沟道注入；高温退火，修复离子注入对衬底的损伤；隧穿窗口氧化膜湿法刻蚀，采用氢氟酸作为对衬底表面无损伤的湿法药液。

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