[发明专利]提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法有效
| 申请号： | 200910057253.1 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101887850A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王函;林钢;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/3065;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/311;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 sonos 数据 保持 能力 单晶硅 损伤 窗口 集成 方法 | ||
1.一种提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，包括以下步骤：
隧穿窗口干法刻蚀；
隧穿窗口采用磷元素进行沟道注入；
高温退火，修复离子注入对衬底的损伤；
隧穿窗口氧化膜湿法刻蚀，采用氢氟酸作为对衬底表面无损伤的湿法药液。
2.如权利要求1所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，所述隧穿窗口氧化膜湿法刻蚀之后还包括：
等离子干法去胶或湿法去胶；
ONO三明治膜层生长。
3.如权利要求1所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，磷元素的注入剂量在2.0E12～4.0E12ions/cm2之间。
4.如权利要求3所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，磷元素的注入剂量为3.0E12ions/cm2。
5.如权利要求1所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，磷元素的注入能量在25kev～35kev之间。
6.如权利要求5所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，磷元素的注入能量为30kev。
7.如权利要求1所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，所述的退火温度在1000～1100℃之间。
8.如权利要求7所述提升SONOS数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；其特征在于，所述的退火温度为1050℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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