[发明专利]电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

摘要

一种电阻存储器、及含有电阻存储器的集成电路的制作方法。其中电阻存储器，包括，半导体衬底；位于半导体衬底上作为下电极的第一互连结构；位于第一互连结构和半导体衬底上的介质层，所述介质层内形成有露出第一互连结构的第一接触孔；位于第一互连结构中与第一接触孔位置对应的电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层的材料为金属硅氧化物；位于第一接触孔侧壁及电阻可变存储介质层上的上电极。本发明尺寸可以根据需要调节，并且可以满足集成度增高的需要，工艺简单。

主权项

一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含电阻存储单元区和逻辑单元区，其中电阻存储单元区的半导体衬底上形成有第一互连结构作为下电极，在逻辑单元区的半导体衬底上形成有第二互连结构；在第一互连结构、第二互连结构和半导体衬底上形成介质层；在介质层内形成露出第一互连结构的第一接触孔；沿第一接触孔对第一互连结构表面进行处理，形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；在第一接触孔侧壁及电阻可变存储介质层上形成上电极，并在第一接触孔内填充导电物质；在介质层内形成露出第二互连结构的第二接触孔；在第二接触孔内壁形成扩散阻挡层，及填充导电物质。