[发明专利]电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法有效
| 申请号： | 200910052942.3 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924068A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黄晓辉;季明华;宋立军;吴金刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 含有 集成电路 制作方法 | ||
1.一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包含电阻存储单元区和逻辑单元区，其中电阻存储单元区的半导体衬底上形成有第一互连结构作为下电极，在逻辑单元区的半导体衬底上形成有第二互连结构；
在第一互连结构、第二互连结构和半导体衬底上形成介质层；
在介质层内形成露出第一互连结构的第一接触孔；
沿第一接触孔对第一互连结构表面进行处理，形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；
在第一接触孔侧壁及电阻可变存储介质层上形成上电极，并在第一接触孔内填充导电物质；
在介质层内形成露出第二互连结构的第二接触孔；
在第二接触孔内壁形成扩散阻挡层，及填充导电物质。
2.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述上电极与扩散阻挡层同时形成，第一接触孔和第二接触孔内同时填充导电物质。
3.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述金属硅氧化物是TixSiyOz、NixSiyOz或CoxSiyOz。
4.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述电阻可变存储介质层的厚度为80埃～800埃。
5.根据权利要求1或4所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺为热氧化法、等离子体增强法或氧离子注入法。
6.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述第一互连结构和第二互连结构的材料为TixSiy、NixSiy或CoxSiy。
7.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述上电极、扩散阻挡层的材料为钛、氮化钛、钽或氮化钽。
8.根据权利要求7所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述上电极、扩散阻挡层的厚度为100埃～500埃。
9.一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包含电阻存储单元区和逻辑单元区，其中电阻存储单元区的半导体衬底上形成有第一互连结构作为下电极，在逻辑单元区的半导体衬底上形成有第二互连结构；
在第一互连结构、第二互连结构和半导体衬底上形成介质层；
在介质层内形成露出第一互连结构的第一接触孔和露出第二互连结构的第二接触孔；
沿第一接触孔和第二接触孔分别对第一互连结构和第二互连结构表面进行处理，形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；
去除第二互连结构表面的电阻可变存储介质层；
在第一接触孔侧壁、电阻可变存储介质层上和第二接触孔内壁形成扩散阻挡层，所述第一接触孔内的扩散阻挡层作为上电极；
在第一接触孔和第二接触孔内填充导电物质。
10.根据权利要求9所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述金属硅氧化物是TixSiyOz、NixSiyOz或CoxSiyOz。
11.根据权利要求9所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述电阻可变存储介质层的厚度为80埃～800埃。
12.根据权利要求9或11所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺为热氧化法、等离子体增强法或氧离子注入法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
