[发明专利]AlGaN薄膜材料及其生长方法无效
| 申请号： | 200910021621.7 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101538740A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 周小伟;李培咸;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/00;C30B25/22;H01L21/205 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种AlGaN薄膜材料，主要解决目前高质量AlGaN薄膜材料生长困难的问题。它包括：衬底、低温AlN缓冲层、高温AlN基板层和目标AlYGa1-YN层，该目标AlYGa1-YN层的Al组份Y值为：0.1≤Y≤0.8；其特征是在高温AlN基板层与目标AlYGa1-YN层之间插入有AlXGa1-XN插入层，该AlXGa1-XN插入层的Al组份X值为：0＜X＜Y。所述薄膜材料的生长采用金属有机化合物气相沉积MOCVD法，在蓝宝石或者碳化硅衬底上，先生长低温AlN缓冲层及高温AlN基板层，再生长AlXGa1-XN插入层，最后生长所需Al组分的目标AlYGa1-YN层。本发明能有效调控薄膜生长过程中的应力，使得材料中的张应力和压应力保持平衡，提高了目标AlYGa1-YN层的材料质量，可用于制作紫外、深紫外的半导体光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | algan 薄膜 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN薄膜材料，包括：衬底，低温AlN缓冲层，高温AlN基板层，目标AlYGa1-YN层，其特征在于：高温AlN基板层与目标AlYGa1-YN层之间插入有AlXGa1-XN插入层。
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