[发明专利]单晶硅半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200910008161.4 | 申请日： | 2009-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101532174A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | W·V·阿蒙 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及含氟的单晶硅半导体晶片，其中氟浓度为1×1010至1×1016个原子/cm3，并且不含有直径大于或等于临界直径的团聚的本征点缺陷。本发明还涉及用于制造单晶硅半导体晶片的方法，该方法包括提供用氟掺杂的硅熔体，并以一定的速率使该熔体结晶形成含有1×1010至1×1016个原子/cm3的氟的单晶，在该速率下若省略作为掺杂剂的氟则产生具有临界直径或更大直径的团聚的本征点缺陷，以及由该单晶分离出半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、含氟的单晶硅半导体晶片，其中氟浓度为1×1010至1×1016个原子/cm3，并且不含有直径大于或等于临界直径的团聚的本征点缺陷。
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