[发明专利]堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法无效
| 申请号： | 200910006763.6 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101807562A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 余林旺;翁承谊 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装构造包含一基板、一芯片、一中介基板及一封胶化合物。该芯片电性连接于该基板的上表面。该中介基板配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面。该中介基板包含至少一内埋组件及数个电性接点，该内埋组件位于该中介基板的上下表面之间，且该些电性接点位于该中介基板的上表面。该封胶化合物包覆该芯片，且覆盖该基板的上表面及该中介基板的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 封装 构造 装置 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装构造，包含：一基板，具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；一芯片，电性连接于该基板的上表面；一中介基板，配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含至少一内埋组件及数个第一电性接点，该内埋组件位于该上下表面之间，且该些第一电性接点位于该中介基板的上表面；以及一封胶化合物，包覆该芯片，且覆盖该基板的该上表面及该中介基板的该下表面。
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