[发明专利]化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200880106904.5 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101802979A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 柴田佳彦;宫原真敏;池田孝司;国见仁久 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C30B29/40;H01L21/205;H01L29/26;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低了Si衬底与化合物半导体层之间的界面的位错(缺陷)密度的化合物半导体衬底及其制造方法。对Si衬底依次实施有机清洗、酸清洗以及碱清洗，去除Si衬底表面的有机物、金属等污染物质，来形成平坦的氧化膜(S31)。使用浓度1.0wt％的氟化氢水溶液来去除表面的氧化膜并进行氢终端处理(S32)。紧接在氢终端处理之后将Si衬底容纳到真空装置内，之后使Si衬底的衬底温度上升(S33)。当这样使衬底温度上升时，进行终端处理得到的氢脱离。在氢脱离之前先行照射As(S34)，在准备Si衬底与化合物半导体层之间的界面之后，在数秒钟后照射Ga和As(S35)，由此制作化合物半导体衬底(S36)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体衬底，在Si衬底上设置了含有As的化合物半导体，其特征在于，在上述Si衬底与上述化合物半导体层之间的界面处，As浓度高于上述化合物半导体层的物质以岛状的形式存在。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
