[发明专利]氮化物半导体基板有效
| 申请号： | 200880005796.2 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101617388A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 吉田治正;高木康文;桑原正和 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.氮化物半导体基板，其特征在于，具有：GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
