[发明专利]氮化物半导体基板

权利要求书

1.氮化物半导体基板，其特征在于，

具有：

GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方 向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹 状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及

在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上 表面平坦的埋入层；

当设所述条纹的间距为L时，在所述GaN系半导体层的大致三角 形状顶部的所述凹凸面的凹凸尺寸的平均值Have以及标准差Hsd满 足：

0.0048L/4≤Hsd，

Have≤L/10，

其中，所述凹凸尺寸为从所述顶部计算的在所述间距方向上的尺 寸。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体基板，其特征在于，

所述凹凸面为基本上沿着所述条纹的斜面的倾斜度的斜面，且由 多个小斜面形成，所述小斜面的垂线方向在水平截面上遍及多个方向。

3.氮化物半导体基板，其特征在于，

具有：

GaN系半导体层；以及

在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上 表面平坦的埋入层，

所述GaN系半导体层具有多个突出的条纹，

在所述条纹的两侧面分别具有凹凸面；

在设定XYZ直角坐标系的情况下，

所述GaN系半导体层的厚度方向为Z轴方向，

所述GaN系半导体层的条纹沿Y轴延伸，

设通过邻接的所述条纹的X轴方向的中心点且沿Y轴延伸的中心 线之间的距离为L，

1个所述凹凸面与XY平面的相交线离所述中心线的距离的平均值 Have以及标准差Hsd满足：

0.048L/4≤Hsd，

Have≤L/10。