[发明专利]多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉有效
| 申请号： | 200810249626.0 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101476153A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李建隆;王伟文;王宇光;陈发挥;陈光辉;许凯 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学;化学工业第二设计院宁波工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C01B33/035 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所 | 代理人： | 吴 澄 |
| 地址： | 266042山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉。工艺包括将SiHCI3与H2混合，从底部进气口喷入从出气口排出；还原炉外壳夹套中通以冷却水；硅棒温度1050～1150℃，器内压力为0.5～0.7MPa；SiHCI3还原后的硅沉积在硅棒上等步骤。混合气体从还原炉的底部进气口喷入，从其顶部的出气口排出。还原炉包括底座、外壳、多对电极、细硅棒、进气口和出气口。外壳带有夹套，夹套上固定着进、出水口。进气口固定在底部，出气口固定在顶部封头上。它可避免上升气柱在底部的扩散，使之与硅棒充分接触。顶部不存在流体死区，硅棒上部硅沉积速度高。气体温度便于调控。加强了炉内气体湍动强化了传质，气体在炉内的停留时间长。大大提高了一次性转换率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 生产工艺 及其 生产 | ||
【主权项】：
1. 一种多晶硅的还原生产工艺，包括以下步骤：(1)将提纯后的SiHCI3与H2混合，然后从底部进气口喷入还原炉再从出气口排出；(2)在还原炉的外壳夹套中同时通以冷却水；(3)保持硅棒温度为1050～1150℃，器内压力为0.5～0.7Mpa；(4)在这一过程中，混合气体与固定在电极上的硅棒接触，SiHCI3还原后的硅沉积在硅棒上；其特征在于所说的SiHCI3与H2的混合气体下进上出，即从还原炉的底部进气口喷入，再从其顶部的出气口排出，出气口的气体温度为550℃±20℃。
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