[发明专利]一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200810236502.9 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447466A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 魏进家;薛艳芳;方嘉宾;高秀峰;袁敏哲 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/44;H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO2层，SiO2层腐蚀为多孔结构。本发明中的芯片沸腾换热结构可以在较低的壁面过热度下提供了足够多的气泡核化点数和较大的有效换热面积，从而解决了芯片在沸腾起始到核态沸腾时存在的较大温度热冲击问题，同时显著地提高了临界热流密度，使得高热流密度电子器件的有效换热得到了保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 沸腾 强化 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO2层，SiO2层腐蚀为多孔结构。
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