[发明专利]一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200810236502.9 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447466A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 魏进家;薛艳芳;方嘉宾;高秀峰;袁敏哲 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/44;H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 沸腾 强化 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO2层，SiO2层腐蚀为多孔结构；所述凸台均匀分布在芯片的表面。
2.根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，所述凸台为圆柱状，其高度为50μm～300μm，直径为10μm～100μm，相邻凸台间中心点距离为直径的1.5～2.5倍。
3.根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，所述凸台为方柱状，其高度为50μm～300μm，凸台上表面的边长为10μm～100μm，相邻凸台间中心点距离为边长的1.5～2.5倍。
4.根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，所述SiO2层的厚度为2.5μm～3.5μm。
5.权利要求1所述芯片的沸腾强化换热结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：采用干式腐蚀工艺，在芯片表面加工出均匀分布的柱状结构的凸台，所述干式腐蚀工艺采用CF4、Cl2、Ar中的任意一种腐蚀气体；
第二步：采用溅射工艺，在带有凸台的芯片表面生成一SiO2层；
第三步：采用湿式腐蚀工艺，对SiO2层进行加工，形成多孔结构；所述湿式腐蚀工艺的腐蚀溶液为HF、NH4F和水的混合溶液，其摩尔比为1∶4∶21～1∶6∶31，反应时间为3～6min，反应温度为15℃～25℃。
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