[发明专利]具有半导体薄膜的半导体装置有效
| 申请号： | 200810214272.6 | 申请日： | 2003-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101359660A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦;藤原博之;佐久田昌明;安孙子一松 | 申请（专利权）人： | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;B41J2/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置包括具有至少一个端子的衬底、包括至少一个半导体器件的半导体薄膜，半导体薄膜被布置并接合在衬底上，以及作为导电薄膜形成的从半导体薄膜内的半导体器件延伸至衬底上的端子的单独互连线，将半导体器件电连接到该端子。和常规的半导体装置相比，本发明的装置较小且减少了材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底，其具有至少一个端子并具有平面化的表面；包括至少一个半导体器件的半导体薄膜，该半导体薄膜被布置在衬底平面化的表面上；其中半导体薄膜面对衬底的整个下表面紧密地接合到衬底平面化的表面；以及作为导电薄膜形成的薄互连线，其从半导体薄膜上的半导体器件的上表面延伸至衬底上的该端子，电连接半导体器件至该端子；其中衬底是其内形成有集成电路的半导体衬底，该端子电连接到集成电路，并且半导体薄膜与集成电路重叠。
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