[发明专利]包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法无效
| 申请号： | 200810182572.0 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452826A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 詹尼弗·Y·孙;周爱琳;徐力;肯尼思·S·柯林斯;托马斯·格瑞斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B81C5/00;C23C16/56;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞;南 霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法。该方法包括至少两个液体化学处理步骤，其中一个处理步骤将碳化硅转化成二氧化硅，另一个处理步骤去除二氧化硅。所述液体化学处理步骤通常在低于约100℃温度时进行。进行所述方法所需要的时间段通常小于约100小时。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 碳化硅 半导体 处理 部件 及其 化学 方法 | ||
【主权项】：
1、一种从碳化硅部件表面去除由于机械加工受损的碳化硅晶体结构的方法，包括：由液体氧化剂处理所述部件的碳化硅表面，其中所述处理将碳化硅转化成二氧化硅；以及由液体处理去除所述二氧化硅，其中，所述碳化硅表面的所述处理和所述二氧化硅的所述去除每个都执行至少一次，或者可依次重复执行多次。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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