[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810169919.8 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409271A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄金井宏贞 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明一个方面的一种半导体器件，包括半导体衬底；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底之上；金属布线，其形成在所述层间绝缘膜之上；保护绝缘膜，其形成在所述金属布线上；以及树脂膜，在所述保护绝缘膜上，所述树脂膜形成在具有短于预定长度的一侧的区域内。所述树脂膜覆盖其中所述金属布线的间隔等于或小于预定间隔的所有区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底之上；金属布线，其形成在所述层间绝缘膜之上；保护绝缘膜，其形成在所述金属布线上；以及树脂膜，在所述保护绝缘膜上，所述树脂膜形成在具有短于预定长度的一侧的区域内，其中，所述树脂膜覆盖所有的具有等于或小于预定间隔的金属布线的间隔的区域。
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