[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810169919.8 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409271A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄金井宏贞 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底之上；
金属布线，其形成在所述层间绝缘膜之上；
保护绝缘膜，其形成在所述金属布线上；以及
树脂膜，在所述保护绝缘膜上，所述树脂膜形成在具有短于预定长度的一侧的区域内，
其中，所述树脂膜覆盖所有的具有等于或小于预定间隔的金属布线的间隔的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体衬底由化合物半导体制成。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述化合物半导体是GaAs或InP。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护绝缘膜是氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜之一。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述预定长度是1000μm。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述预定间隔是50μm。
7.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底之上；
金属布线，其形成在所述层间绝缘膜之上；
保护绝缘膜，其形成在所述金属布线上；以及
树脂膜，在所述保护绝缘膜上，所述树脂膜形成在具有短于预定长度的一侧的区域内，
其中，所述树脂膜覆盖所有的具有等于或大于预定电势差的金属布线的被施加的电势差并且具有等于或小于预定间隔的金属布线的间隔的区域。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述预定电势差等于或大于2V。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体衬底由化合物半导体制成。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述化合物半导体是GaAs或InP。
11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述保护绝缘膜是氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜之一。
12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述预定长度是1000μm。
13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述预定间隔是50μm。
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