[发明专利]金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质

摘要

本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。

主权项

1. 一种金属膜成膜方法，其在具有含硅表面的基板上形成金属膜，其特征在于：具有通过向所述基板上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在所述基板上形成氮化钛膜的工序，在所述工序中，所述氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在所述含硅表面上形成硅化钛膜，并且在所述基板上形成氮化钛膜。