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[发明专利]热敏头及热敏打印机-CN201880021712.8有效
发明人： 熊谷晃;阿部宽成 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： B41J2/335 文献下载
摘要：本公开的热敏头(X1)具备基板(7)、发热部(9)、电极(17、19)和保护层(25)。发热部(9)位于基板(7)上。电极(17、19)位于基板(7)上且与发热部(9)相连。保护层(25)将发热部(9)及电极(17、19)的一部分覆盖。保护层(25)包括钛及氮，在将保护层(25)的(111)面的X射线衍射的峰值强度设为P1，将(200)面的X射线衍射的峰值强度设为P2的情况下，P2＞P1。
热敏打印机

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201780029783.8在审
发明人： 熊谷晃 -专利权人：株式会社JET
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供一种可以在硅基板表面形成最佳的纹理结构的太阳能电池的制造方法。该方法中，对硅基板依次进行附着工序、第一蚀刻工序及第二蚀刻工序。在附着工序中，将硅基板浸渍在含有氢氟酸和硝酸银的第一水溶液中，以将银附着到硅基板表面上。第一水溶液被制备成硝酸银的摩尔浓度在9×10^‑5mol/L以上且1×10^‑³mol/L以下的范围内。在第一蚀刻工序中，将硅基板浸渍于在水中含有氢氟酸和过氧化氢的第二水溶液中，通过析出的银作为催化剂对硅基板进行蚀刻，从而在硅基板表面形成多个细孔以使硅基板表面多孔化。在第二蚀刻工序中，将硅基板浸渍在含有氢氟酸和硝酸的第三水溶液中以进行蚀刻，从而增大细孔的深度和开口尺寸。
蚀刻硅基板硅基板表面浸渍氢氟酸附着太阳能电池硝酸银细孔过氧化氢的纹理结构析出硝酸多孔化水中催化剂制备制造开口

[发明专利]太阳电池的制造方法-CN201280048866.9有效
发明人： 熊谷晃 -专利权人： JET股份有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在硅基板表面均匀形成织构的太阳电池的制造方法。其特征在于，具有：将上述硅基板（2）浸渍在含有氢氟酸的第1水溶液中，去除上述硅基板（2）表面的天然氧化膜的步骤；将去除上述天然氧化膜后的上述硅基板（2）浸渍在含有上述金属离子的第2水溶液中，通过非电解镀使上述金属离子附着在上述硅基板（2）表面的步骤；以及将附着有上述金属离子的上述硅基板（2）浸渍在含有氢氟酸和过氧化氢水的第3水溶液中，通过上述金属离子的催化反应，在上述硅基板（2）表面形成多孔质层（3）的步骤。
太阳电池制造方法

[发明专利]真空处理装置-CN201010126197.5有效
发明人：石桥启次;田中雅彦;熊谷晃;池本学;汤田克久 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
真空处理装置

[发明专利]加热处理设备-CN200780053002.5有效
发明人： 熊谷晃;柴垣真果;沼尻宪二;江上明宏 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01J5/60 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够将温度始终控制为恒定温度并能够在高于或等于1850摄氏度的高温范围内进行温度控制的加热处理设备。该加热处理设备包括：处理室；加热物支撑构件，其设置在所述处理室中；加热器，其设置在所述加热物支撑构件内；以及温度测量部件，用于测量所述加热物支撑构件的温度，其中，所述温度测量部件设置在透过窗的外部，所述透过窗设置在所述处理室的周壁中，并且从所述加热物支撑构件放射的红外线能量能够透过所述透过窗，以及所述温度测量部件包括收集从所述加热物支撑构件放射的红外线能量的集光器和基于红外线中的两个波长的强度之间的比率来计算温度的计算单元。
加热处理设备

[发明专利]真空处理装置-CN200880010066.1有效
发明人：石桥启次;田中雅彦;熊谷晃 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
真空处理装置

[发明专利]衬底加热设备及衬底加热方法-CN200880008957.3无效
发明人：江上明宏;熊谷晃;沼尻宪二;柴垣真果;古屋诚司 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种衬底加热设备包括真空容器，该真空容器的内部被壁体分离成第一空间和第二空间，第一空间被第一排气装置抽空成真空并容纳待加热的衬底，第二空间被第二排气装置抽空成真空并包括用于加热容纳在第一空间中的衬底的加热装置，缩短了由第一排气装置把第一空间抽空成真空所需的时间，由此提高了生产量。壁体在面对第二空间的壁体的一部分上具有未被涂布的非涂层表面。在壁体表面的其余部分上形成涂层。
衬底加热设备方法

[发明专利]钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置-CN200810185711.5有效
发明人：成嶋健索;熊谷晃;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。
方法装置

[发明专利]在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法-CN200710199346.9无效
发明人： 熊谷晃;张宏 -专利权人：安内华股份有限公司
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。
表面上形成金属氧化物薄膜方法

[发明专利]金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质-CN200810169541.1有效
发明人：成嶋健索;熊谷晃;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。
金属膜方法计算机能够读取存储介质

[发明专利]衬底加热设备和半导体制造方法-CN200710198929.X有效
发明人：柴垣真果;沼尻宪二;江上明宏;熊谷晃;秋山进 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加热设备和半导体制造方法。该衬底加热设备具有加热装置，该加热装置用于对设置在适合于被抽空的处理室中的衬底进行加热，该衬底加热设备包括：安装在所述加热装置和衬底之间的底座，该衬底安装在该底座上；以及热收纳部件，其安装在所述底座对面，使得衬底夹在热收纳部件和底座之间，并且该热收纳部件通过底座从加热装置收纳热量。形成了允许热收纳部件和衬底之间形成的空间与处理室中的空间连通的通风部分。
衬底加热设备半导体制造方法

[发明专利]真空处理装置-CN200510054822.9有效
发明人：石桥启次;田中雅彦;熊谷晃;池本学;汤田克久 -专利权人：安内华股份有限公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
真空处理装置

[发明专利]在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法-CN200410055266.2无效
发明人： 熊谷晃;张宏 -专利权人：安内华股份有限公司
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。
表面上形成金属氧化物薄膜方法

[发明专利]薄膜形成装置及形成方法-CN03158198.6有效
发明人： 熊谷晃;石桥启次;田中雅彦 -专利权人：安内华股份有限公司
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种薄膜形成装置，将真空容器内部由导电隔板分成两室，其一为设置高频电极的等离子体生成空间。另一用作基片保持机构的成膜处理空间。导电隔板上有通连此两空间的多个通孔，还有与此生成空间分隔且经多个原料气体扩散孔与该处理空间相通的第一内部空间。用于由放电等离子体生成所需活性基团的气体导入此生成空间，生成的活性基团经上述通孔供给该处理空间。原料气体从外部供给此第一空间，经原料气体扩散孔供给该处理空间，利用所述活性基团与原料气体反应而于基片上成膜。此隔板上尚有与该第一空间分隔经多个气体扩散孔与该处理空间相通的第二内部空间以导入原料气体以外的气体。
薄膜形成装置方法

[发明专利]氧化硅膜制作方法-CN02158825.2无效
发明人： 熊谷晃;石桥启次;森茂 -专利权人：安内华股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种在用RS－CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
氧化制作方法

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