[发明专利]金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质

权利要求书

1.一种金属膜成膜方法，其在具有含硅表面的基板上形成金属膜，其特征在于：

具有通过向所述基板上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在所述基板上形成氮化钛膜的工序，

在所述工序中，所述氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在所述含硅表面上形成硅化钛膜，并且在所述基板上形成氮化钛膜。

2.如权利要求1所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

从开始供给所述氮气直至达到所述设定流量，使供给流量的经时变化率一定。

3.如权利要求1所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

从开始供给所述氮气直至达到所述设定流量，使供给流量的经时变化率随着时间经过而逐渐增大。

4.如权利要求1所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

通过改变从开始供给所述氮气直至达到所述设定流量的时间，控制所述硅化钛膜的形成。

5.如权利要求1所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

通过改变开始供给所述氮气的定时，控制所述硅化钛膜的形成。

6.如权利要求5所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

开始所述氮气的供给的定时与向所述基板上供给钛化合物气体和还原气体并生成所述等离子体的定时同步。

7.如权利要求5所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

开始所述氮气的供给的定时从向所述基板上供给钛化合物气体和还原气体并生成所述等离子体的定时延迟规定时间。

8.如权利要求1～7中任一项所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

在生成所述等离子体之前开始向所述基板上供给钛化合物气体和还原气体。

9.一种金属膜成膜方法，在含硅表面上的绝缘膜中形成有到达所述含硅表面的孔的基板上形成金属膜，其特征在于：

具有通过向所述基板上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体而形成氮化钛膜的工序，

在所述工序中，所述氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而，在从所述孔的底部露出的所述含硅表面上形成硅化钛膜，并且在所述基板上形成氮化钛膜。

10.如权利要求9所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

开始所述氮气的供给的定时根据所述孔的形状而改变。

11.如权利要求10所述的金属膜成膜方法，其特征在于：

所述孔的深宽比越小，越延迟开始所述氮气的供给的定时。